КИТАЙ Ультракрасный светоэлектрический датчик

• 

  S1336-44BQ Si фотодиод от УФ до ближнего ИК для точной фотометрии TO-5

  Чувствительная область:3.6 × 3.6 мм

  Количество пикселей:1

  Охлаждение и:Не охлажденные

  Контакт
• 

  Доска развития Suporting модуля детектора пламени R2868 C10807

  Спектральный ответ:185 к 260nm

  Материал окна:УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ стекло

  Вес приблизительно:1,5 г

  Контакт
• 

  YJJ G12180-003A InGaAs PIN фотодиодный пакет для газоанализатора NDIR и инфракрасной спектроскопии

  Отсчет пиксела:1

  Упаковка:Металл

  Категория пакетов:TO18

  Контакт
• 

  S12023-02-01 Высокопроизводительный фотодиод кремниевой лавины для оптического диапазона и лидарных систем лазерного мониторинга и сенсора

  Диапазон напряжения пробоя:80 В ~ 120 В (ID=100 мкА)

  Эффективная фоточувствительная область:0,2 мм

  Диапазон спектрального отклика:400 нм ~ 1000 нм

  Контакт
• 

  S12023-02-01 Силициевая лавина фотодиод инфракрасный низкопредвзятость операция

  Тип:Ближний инфракрасный диапазон (работа с низким смещением)

  Размер активной области:φ0,2 мм

  Материал упаковки:Металл

  Контакт
• 

  YJJ LTH-1550-01 фотоэлектрический датчик фотоэлектрический переключатель рефлекторный фотоэлектрический переключатель

  Прямой ток светодиода, если максимальный:60 мА

  Светодиод обратного напряжения VR:5 В

  Светодиодный индикатор прямого падения Vf, типовой:1,2 В.

  Контакт
• 

  YJJ S5990-01 Двумерный детектор позиционной чувствительности фотодиодов с оптическим измерением позиции

  Обнаружение положения:±70 мкм (типичное значение)

  Максимум:±150 мкм

  Фототок насыщения:500 мкА (VR = 5 В, нагрузка 1 кОм)

  Контакт
• 

  LIM-252-GH Планарный многоканальный пироэлектрический детектор с двойным каналом

  Тепловая постоянная времени:госпожа 100

  Размер диафрагмы:ø6,0 мм

  Плотность шума:220 НВ/√Гц

  Контакт
• 

  S12023-02 Авалансовый фотодиодный датчик APD для аналитических приборов отрасли оптической связи

  Длина волны пиковой чувствительности:800 Нм

  Диапазон спектрального отклика:400 ~ 1100 нм

  Рабочее обратное напряжение:≤ 200 В

  Контакт
• 

  YJJ S1227-16BQ Силициевый фотодиод специального назначения для видимого света (с кварцевым окном)

  Получать поверхность:5,9 × 1,1 мм

  Упаковка:Керамика

  Обратное напряжение (макс.):5 В

  Контакт
• 

  S12023-02 Операция с низким уклоном от инфракрасного Si APD высокоскоростное реагирование

  Фоточувствительная область:φ0,2 мм

  Упаковка:Металл

  Категория пакетов:TO-18

  Контакт
• 

  G12180-003A Неохлажденный инфракрасный фотоэлектрический датчик с одним элементом 1,55 мкм Пиковая длина волны максимум 0,5 НА

  Фоточувствительная область:φ0,3 мм

  Длина волны пиковой чувствительности (типичная):10,55 мкм

  Охлаждение:Uncooled

  Контакт