КИТАЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ датчик фотодиода

• 

  Датчика фотодиода GS-ABC-2835M датчик солнечного УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ультрафиолетов контролируя

  Размер обломока:0,22 mm2

  Пакет:SMD 2835

  Особенности:Высокая отзывчивость, низкая темная настоящая, хорошая слепота видимого света

  Контакт
• 

  датчик 0.22mm2 GT-ABC-M индекса 355 nm УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ для УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО контроля лампы обеззараживанием

  Характер продукции:Размер обломока 0.22mm2

  заключение:TO46

  Материал:Окно сапфира

  Контакт
• 

  Ультрафиолетовый фотодиодный датчик обнаружения ультрафиолетового излучения GaN Crawler

  размер обломока:0.77 мм2

  Упаковка:TO46

  Особенности:Сапфировое окно, высокая чувствительность, низкий темный ток

  Контакт
• 

  Датчика лампы GUVA-S12SD датчик контроля индекса Schottky УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ

  Температура хранения:-40-90°

  Работая температура:-30-85°

  Обратное напряжение:℃ Vr топ-30, максимальное. Если, максимальное ㎂ v инфракрасн = 1

  Контакт
• 

  Ультрафиолетовый фотодиодный датчик для фотокаталитического мониторинга

  размер обломока:1 мм2

  Упаковка:TO46

  Особенности:Сапфировое окно, высокая чувствительность, низкий темный ток

  Контакт
• 

  Основание нитрида галлия датчика G365T01L UVA UVB работая в фотовольтайческом режиме

  Материал:основное вещество нитрида галлия

  Объект теста:широкополосный фотодиод UVA+UVB+UVC

  Принцип:Работать в фотовольтайческом режиме

  Контакт
• 

  Деятельность режима датчика GS-AB-S фотодиода UVA основанная на GaN УЛЬТРАФИОЛЕТОВАЯ фотовольтайческая

  Материал:основное вещество нитрида галлия

  Broadband:Фотодиод UVA+UVB+UVC

  Принцип:Работать в фотовольтайческом режиме

  Контакт
• 

  Мониторинг UV-фотодиодного индекса UV на основе GaN GT-ABC-L

  Материал:Базовый материал из нитрида галлия

  Условия испытаний:широкополосный фотодиод UVA+UVB+UVC

  Принцип:Работа в фотоэлектрическом режиме

  Контакт
• 

  S1226-5BQ SI Пиновый фотодиод для ультрафиолетовой до видимой точности фотометрии подавляет чувствительность к инфракрасному свету

  Пакет:TO-5

  Размер светочувствительной площади:20,4*2,4 мм

  Обратное напряжение:5В

  Контакт
• 

  S1227-66BR Si Фотодиод Высокая чувствительность к УФ-излучению Чувствительность к ИК Обратное Вольтахе ВР Макс. 5В

  Упаковка:8,9*10,1 мм

  Размер активной области:5,8*5,8 мм

  Обратный Voltahe VR Макс.:5В

  Контакт
• 

  S1337-33BR 10-20mA Си фотодиодный аналоговый интерфейс для точных измерений

  Время ответа:1-2 мс

  Чувствительность:Высокий

  Температура хранения:-40 к +125°C

  Контакт
• 

  S12060-10 Силиконовый фотодиод лавины низкотемпературный коэффициент

  Тип:Тип ближнего инфракрасного

  Фоточувствительная область:φ1 мм

  Пакет:Металл

  Контакт