|
Подробная информация о продукте:
|
| Обнаружение газа: | AsH3 | Принцип: | Электрохимический |
|---|---|---|---|
| Диапазон: | 0 - 10 ч / млн | Чувствительность: | 0,6 ± 0,2 мкА/млн |
| T90 Время отклика: | ≤ 45 с | Разрешение: | 0,01 м.д. |
| Базис: | < ±0,2 μA | Максимальная перегрузка: | 10 ppm |
| Выделить: | Electrochemical Gas Sensor 0-10ppm,MOCVD Gas Sensor Semiconductor Wafer Fab,YJJ 4ASH3-10 Gas Sensor |
||
Product Description: YJJ 4ASH3-10 Electrochemical Gas Sensor 0-10ppm for Semiconductor Wafer Fab MOCVD Features: Core parameters - Detection gas: AsH3 Arsenic Hydride - Measurement range: 0 - 10 ppm - Maximum overload: 10 ppm - Sensitivity (20℃): **0.6 ± 0.2 μA/ppm** - T90 response time: **≤ 45 s** - Resolution: **0.01 ppm** - Baseline (clean air at 20℃): < ±0.2 μA - Full temperature range baseline drift (-20~50℃): equivalent < 0.5 ppm - Bias: **0 mV, no bias required** -
Контактное лицо: Miss. Xu
Телефон: 86+13352990255