|
Подробная информация о продукте:
|
| Измеренный газ: | AsH₃ | Принцип: | Электрохимический |
|---|---|---|---|
| Диапазон: | 0 - 1 м.д. | Чувствительность: | 3000 ± 600 нА/м.д. |
| T90 Время отклика: | <60 с | Верхний предел перегрузки: | 5 PPM |
| Воспроизводимость: | < 2=""> | Базис: | ±0,02 частей на миллион |
| Выделить: | AsH3 electrochemical gas sensor,0-1ppm toxic gas leak monitoring,semiconductor fab gas sensor |
||
Product Description: YJJ AsH3/M-1 Electrochemical Gas Sensor 0-1ppm for Semiconductor Fab Toxic Gas Leak Monitoring Features: 4-Series Micro Package, Arsine (Arsenic Hydride), Toxic Gas Detection in the Semiconductor Industry | Detected Gas | AsH3 (Arsenic Hydride) | | Principle | Three-electrode Electrochemical | | Range | 0 - 1 ppm | | Maximum Overload | 5 ppm | | Sensitivity | 3000 ± 600 nA/ppm Membrapor | | Bias Voltage | 0 mV (No Bias Required) | | T90 Response Time | <
Контактное лицо: Miss. Xu
Телефон: 86+13352990255