Подробная информация о продукте:
|
Температурный коэффициент чувствительности: | 1,08 раз/℃ | Диапазон температуры хранения: | -55 ℃ -125 ℃ |
---|---|---|---|
Диапазон рабочей температуры: | -40 ℃ -100 ℃ | Максимальное обратное напряжение (vᵣₘₐₓ): | 20 В |
Сопротивление шунта: | 300 ~ 1200 МОм | Емкость соединения: | Тип 4 пф |
Выделить: | Инфракрасный фотоэлектрический датчик для оптической связи,Датчик фотодиодов InGaAs PIN,Фотоэлектрический датчик с технологией InGaAs |
G12181-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для оптических систем связи
Области применения
Ключевые особенности:
Параметр |
Спецификация (тип / максимум) |
Условия испытания |
---|---|---|
Фоточувствительная зона | φ0,3 мм | - |
Количество датчиков | 1 (одноэлемент) | - |
Способ охлаждения | Неохлажденные (пассивное охлаждение окружающей среды) | - |
Диапазон спектральной реакции | 0.9 1,7 мкм | Покрывает критические диапазоны NIR (например, 1,3/1,55 мкм для телекоммуникаций) |
Максимальная чувствительность длины волны | ~ 1,55 мкм | - |
Фоточувствительность | Тип 1.1 A/W | λ = 1,55 μm, обратное напряжение (Vr) = 5V, Ta = 25°C |
Темный поток | Максимум 0,3 нА | Vr = 5V, Ta = 25°C, без освещения |
Частота прерывания (-3dB) | Тип 800 МГц | Vr = 5V, Сопротивление нагрузке (Rl) = 50Ω, λ = 1,3 μm |
Пропускная способность соединения | Тип 4 pF | Vr = 5V, частота (f) = 1 MHz |
Эквивалентная мощность шума (NEP) | Тип: 3,5×10−15 Вт/Гц1/2 | λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C |
Детективность (D*) | Тип 7.2×1012 см·Гц1/2/В | λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C |
Сопротивление шунту | 300 1200 МΩ | Vr = 0V, Ta = 25°C, без света |
Максимальное обратное напряжение (Vrmax) | 20 В | Ta = 25°C |
Диапазон рабочей температуры | -40°C 100°C | Стабильная производительность в суровой промышленной среде |
Диапазон температуры хранения | -55°C 125°C | - |
Температурный коэффициент чувствительности | 10,08 раз/°C | По отношению к 25°C λ = 1,55 мкм |
Контактное лицо: Miss. Xu
Телефон: 86+13352990255