|
Подробная информация о продукте:
|
| Тип упаковки: | До - 18 | Фоточувствительная область: | φ0,3 мм |
|---|---|---|---|
| Диапазон спектрального отклика: | 0от 0,9 до 1,7 мкм | Пиковая чувствительность длины волны (тип.): | 10,55 мкм |
| Фоточувствительность (типичная): | 1.1 A/W. | Вырезать - отключить частоту (тип.): | 600 МГц |
| Выделить: | Инфракрасный фотоэлектрический датчик для лазерного мониторинга,Датчик фотодиодов InGaAs PIN,Лазерная система мониторинга фотоэлектрический датчик |
||
G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга
1Области применения:
2Основные особенности:
| Тип датчика | Фотодиод InGaAs PIN | - |
| Тип упаковки | TO-18 | - |
| Режим работы | Фотопроводящие | - |
| Диаметр светочувствительной области | φ0,3 мм | - |
| Количество элементов | 1 | - |
| Способ охлаждения | Неохлажденные | - |
| Диапазон спектральной реакции | 0.9 1,7 мкм | - |
| Максимальная длина волны чувствительности | ~ 1,55 мкм | - |
| Фоточувствительность | Тип 1.1 A/W | λ = 1,55 мкм, Va = 5 В |
| Темный поток | Максимум 0,5 нА | Vr = 5V, Ta = 25°C, без света |
| Частота прерывания (-3dB) | 600 МГц | Vr = 5V, Rl = 50Ω, λ = 1,3 μm |
| Пропускная способность соединения | Тип. 5 пФ | Vr = 5V, f = 1 MHz |
| Эквивалентная мощность шума (NEP) | Тип 4.2×10−15 Вт/Гц1/2 | λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C |
| Детективность (D*) | Тип 6.3×1012 см·Гц1/2/В | λ = 1,55 μm, Vr = 5V, Ta = 25°C |
| Сопротивление шунту | 200 ‰ 1000 МΩ | Vr = 0V, Ta = 25°C, без света |
| Максимальное обратное напряжение (Vrmax) | 20 В | Ta = 25°C |
| Материал окна | Боросиликатное стекло | - |
| Диапазон рабочей температуры | -40°C 100°C | - |
| Диапазон температуры хранения | -55°C 125°C | - |
| Температурный коэффициент чувствительности | 10,09 раз/°C |
![]()
Контактное лицо: Miss. Xu
Телефон: 86+13352990255