logo
Главная страница ПродукцияУльтракрасный светоэлектрический датчик

G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга

Сертификация
КИТАЙ ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Сертификаты
КИТАЙ ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга

G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга
G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга

Большие изображения :  G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Япония
Номер модели: G12180-003A
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1 шт
Цена: Подлежит обсуждению
Упаковывая детали: Стандартная упаковка
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Поставка способности: 5000 шт

G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга

описание
Тип пакета: До - 18 Фоточувствительная область: φ0,3 мм
Диапазон спектрального отклика: 0от 0,9 до 1,7 мкм Пиковая чувствительность длины волны (тип.): 10,55 мкм
Фоточувствительность (типичная): 1.1 A/W. Вырезать - отключить частоту (тип.): 600 МГц
Выделить:

Инфракрасный фотоэлектрический датчик для лазерного мониторинга

,

Датчик фотодиодов InGaAs PIN

,

Лазерная система мониторинга фотоэлектрический датчик

 

 

                   G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для систем мониторинга лазеров

 

1. Области применения:

  • Системы мониторинга лазеров: Обеспечивает обнаружение и мониторинг в реальном времени интенсивности выходного лазерного излучения в системах промышленной лазерной обработки, медицинском лазерном оборудовании и лазерных установках исследовательского класса, обеспечивая стабильную работу лазера.
  • Измерители оптической мощности: Служит основным сенсорным компонентом в устройствах измерения оптической мощности, точно улавливая сигналы оптической мощности ближнего инфракрасного (NIR) диапазона для таких применений, как тестирование оптоволокна и лабораторная фотометрия.
  • Тестирование жизненного цикла лазерных диодов: Выдерживает длительную эксплуатацию и поддерживает стабильную чувствительность, что делает его подходящим для оценки долговечности и деградации характеристик лазерных диодов в течение срока их службы.
  • Фотометрия ближнего инфракрасного (NIR) диапазона: Облегчает точное измерение поглощения, пропускания или отражения NIR-излучения в таких областях, как биохимический анализ, материаловедение и экологический мониторинг.
  • Системы оптической связи: Обнаруживает высокоскоростные оптические сигналы NIR (например, в диапазонах длин волн 1,3 μм или 1,55 μм) для использования в приемопередатчиках оптоволоконной связи, обеспечивая надежную передачу данных в телекоммуникационных сетях.

2. Основные характеристики:

  • Широкий спектральный отклик в NIR-диапазоне: Работает в диапазоне длин волн 0,9–1,7 μм, охватывая критические диапазоны для оптической связи, лазерных применений и NIR-фотометрии.
  • Высокая чувствительность: Обеспечивает типичную фоточувствительность 1,1 А/Вт (при пиковой длине волны ~1,55 μм), обеспечивая точное обнаружение оптических сигналов NIR низкой интенсивности.
  • Низкий темновой ток: Имеет максимальный темновой ток 0,5 нА (при обратном напряжении VR = 5 В), минимизируя фоновый шум и улучшая отношение сигнал/шум (SNR) для точных измерений.
  • Высокоскоростная производительность: Обладает типичной частотой среза 600 МГц, поддерживая высокоскоростное обнаружение сигналов для таких применений, как быстрая оптическая связь или мониторинг лазерных импульсов.
  • Компактный и прочный корпус: Размещен в корпусе TO-18 (стандартный, компактный металлический корпус), обеспечивающем механическую стабильность, простоту интеграции в схемы и совместимость со стандартными оптическими монтажными установками.
  • Широкий диапазон рабочих температур: Надежно работает при температурах от -40°C до 100°C, что делает его пригодным для суровых промышленных условий или наружного применения.
  • Низкая емкость перехода: Имеет типичную емкость перехода 5 пФ (VR = 5 В), уменьшая искажение сигнала и повышая высокочастотную производительность.
Тип датчика InGaAs PIN фотодиод -
Тип корпуса TO-18 -
Режим работы Фотопроводящий -
Диаметр фоточувствительной области φ0,3 мм -
Количество элементов 1 -
Метод охлаждения Неохлаждаемый -
Диапазон спектральной чувствительности 0,9 – 1,7 μм -
Длина волны пиковой чувствительности ~1,55 μм -
Фоточувствительность Тип. 1,1 А/Вт λ = 1,55 μм, Vₐ = 5 В
Темновой ток Макс. 0,5 нА Vᵣ = 5 В, Tₐ = 25℃, Нет света
Частота среза (-3 дБ) Тип. 600 МГц Vᵣ = 5 В, Rₗ = 50Ω, λ = 1,3 μм
Емкость перехода Тип. 5 пФ Vᵣ = 5 В, f = 1 МГц
Эквивалентная мощность шума (NEP) Тип. 4,2×10⁻¹⁵ Вт/Гц¹/² λ = 1,55 μм, Vᵣ = 5 В, Tₐ = 25℃
Обнаружительная способность (D*) Тип. 6,3×10¹² см·Гц¹/²/Вт λ = 1,55 μм, Vᵣ = 5 В, Tₐ = 25℃
Сопротивление шунта 200 – 1000 MΩ Vᵣ = 0 В, Tₐ = 25℃, Нет света
Максимальное обратное напряжение (Vᵣₘₐₓ) 20 В Tₐ = 25℃
Материал окна Боросиликатное стекло -
Диапазон рабочих температур -40℃ – 100℃ -
Диапазон температур хранения -55℃ – 125℃ -
Температурный коэффициент чувствительности 1,09 раз/℃  

 

G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для лазерных систем мониторинга 0

Контактная информация
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Контактное лицо: Miss. Xu

Телефон: 86+13352990255

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты