|
Подробная информация о продукте:
|
| Тип пакета: | До - 18 | Фоточувствительная область: | φ0,3 мм |
|---|---|---|---|
| Диапазон спектрального отклика: | 0от 0,9 до 1,7 мкм | Пиковая чувствительность длины волны (тип.): | 10,55 мкм |
| Фоточувствительность (типичная): | 1.1 A/W. | Вырезать - отключить частоту (тип.): | 600 МГц |
| Выделить: | Инфракрасный фотоэлектрический датчик для лазерного мониторинга,Датчик фотодиодов InGaAs PIN,Лазерная система мониторинга фотоэлектрический датчик |
||
G12180-003A Инфракрасный фотоэлектрический датчик (InGaAs PIN фотодиод) для систем мониторинга лазеров
1. Области применения:
2. Основные характеристики:
| Тип датчика | InGaAs PIN фотодиод | - |
| Тип корпуса | TO-18 | - |
| Режим работы | Фотопроводящий | - |
| Диаметр фоточувствительной области | φ0,3 мм | - |
| Количество элементов | 1 | - |
| Метод охлаждения | Неохлаждаемый | - |
| Диапазон спектральной чувствительности | 0,9 – 1,7 μм | - |
| Длина волны пиковой чувствительности | ~1,55 μм | - |
| Фоточувствительность | Тип. 1,1 А/Вт | λ = 1,55 μм, Vₐ = 5 В |
| Темновой ток | Макс. 0,5 нА | Vᵣ = 5 В, Tₐ = 25℃, Нет света |
| Частота среза (-3 дБ) | Тип. 600 МГц | Vᵣ = 5 В, Rₗ = 50Ω, λ = 1,3 μм |
| Емкость перехода | Тип. 5 пФ | Vᵣ = 5 В, f = 1 МГц |
| Эквивалентная мощность шума (NEP) | Тип. 4,2×10⁻¹⁵ Вт/Гц¹/² | λ = 1,55 μм, Vᵣ = 5 В, Tₐ = 25℃ |
| Обнаружительная способность (D*) | Тип. 6,3×10¹² см·Гц¹/²/Вт | λ = 1,55 μм, Vᵣ = 5 В, Tₐ = 25℃ |
| Сопротивление шунта | 200 – 1000 MΩ | Vᵣ = 0 В, Tₐ = 25℃, Нет света |
| Максимальное обратное напряжение (Vᵣₘₐₓ) | 20 В | Tₐ = 25℃ |
| Материал окна | Боросиликатное стекло | - |
| Диапазон рабочих температур | -40℃ – 100℃ | - |
| Диапазон температур хранения | -55℃ – 125℃ | - |
| Температурный коэффициент чувствительности | 1,09 раз/℃ |
![]()
Контактное лицо: Miss. Xu
Телефон: 86+13352990255