Высокоточный инфракрасный фотоэлектрический сенсор S16765-01MS не охлаждаемого типа с низким темным током и временем нарастания 0,5 мкс

S16765-01MS Инфракрасный фотоэлектрический датчик

Общая информация:

• Наименование продукта: Кремниевый фотодиод S16765 - 01MS
• Бренд: Hamamatsu Photonics
• Спецификация упаковки: пластиковая упаковка
• Категория: фотодиод кремния (Si)
• Диапазон применения: видимый до ближнего инфракрасного диапазона

Параметры работы:

• Фоточувствительная область: 2,8 × 2,4 мм
• Количество пикселей: 1
• Способ охлаждения: неохлажденный тип
• Диапазон спектральной реакции: 320 - 1000 нм
• Длина волны пиковой чувствительности (типичное значение): 720 нм
• Фоточувствительность (типичное значение): 0,4 А/Вт
• Темный ток (максимальное значение): 20 pA
• Время подъема (типичное значение): 0,5 μs
• Пропускная способность соединения (типичное значение): 200 пФ
• Условия измерения: Ta = 25°C, типичное значение. Фоточувствительность: λ = λp. Темный ток: VR = 1 V. Капациентность соединения: VR = 0 V, f = 10 kHz, если не указано иное.

Особенности:

• Низкий темный ток: он может измерять от низкой до высокой освещенности с высокой точностью.
• Точная упаковка: предварительно сформированная упаковка может предотвратить попадание блуждающего света со стороны и сзади упаковки в светочувствительную область,что полезно для улучшения точности измерений.