|
Подробная информация о продукте:
|
| Photosensitivity (typical value): | 0.5A /W | Dark current (Max.): | 50 pA |
|---|---|---|---|
| Rise time (typical value): | 0.2μs | Junction capacitance (typical): | 65 pF |
| Выделить: | Силиконовый фотодиод с низкой емкостью |
||
Описание продукта:
S1337-16BQ Фотодиод кремния с низкой емкостью подходит для точной фотометрии в ультрафиолетовых и инфракрасных полосах
Особенности:
Приемная поверхность 5,9 × 1,1 мм
Керамика в капсулах
Категория пакета --
Тип холодильника без охлаждения
Обратное напряжение (максимум) 5 В
Спектральный диапазон ответа от 190 до 1100 нм
Максимальная длина волны чувствительности (типичное значение) 960 нм
Фоточувствительность (типичное значение) 0,5A /W
Темный ток (макс.) 50 pA
Время подъема (типичное значение) 0,2 мкм
Конденсация соединения (типичная) 65 pF
Эквивалентная мощность шума (типичное значение) 1,0×10-14 Вт/Гц1/2
Типичные значения условий измерения Ta=25°C, фоточувствительность: λ = 960 нм, темный ток: VR = 10 мВ, емкость соединения: VR = 0 V, f = 10 кГц, если не указано иное.
Спецификации:
| Диапазон спектральной реакции | от 190 до 1100 нм |
| Максимальная длина волны чувствительности (типичное значение) | 960 нм |
| Фоточувствительность (типичное значение) | 0.5A /W |
| Темный ток (макс.) | 50 pA |
Контактное лицо: Miss. Xu
Телефон: 86+13352990255
