Подробная информация о продукте:
|
High UV sensitivity: | QE 75% (λ=200 nm) | Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm |
---|---|---|---|
Reverse voltage (Max.): | 5V | Rise time (typical value): | 1 μs |
Выделить: | Ультрафиолетовый фотодиод кремния,Силиконовый фотодиод высокоточного качества |
Описание продукта:
S1337-66BQ Кремниевый фотодиод подходит для точной фотометрии в ультрафиолетовых и инфракрасных полосах
Особенности:
Подходит для точной фотометрии в ультрафиолетовых и инфракрасных полосах
особенность
- Высокая ультрафиолетовая чувствительность: QE 75% (λ=200 нм)
- Низкая емкость
Приемная поверхность 5,8 × 5,8 мм
Керамика в капсулах
Категория пакета --
Тип холодильника без охлаждения
Обратное напряжение (максимум) 5 В
Спектральный диапазон ответа от 190 до 1100 нм
Максимальная длина волны чувствительности (типичное значение) 960 нм
Фоточувствительность (типичное значение) 0,5A /W
Темный ток (макс.) 100 pA
Время подъема (типичное значение) 1 μs
Капациентность соединения (типичная) 380 pF
Эквивалентная мощность шума (типичное значение) 1,3×10-14 Вт/Гц1/2
Типичные значения условий измерения Ta=25°C, фоточувствительность: λ = 960 нм, темный ток: VR = 10 мВ, емкость соединения: VR = 0 V, f = 10 кГц, если не указано иное.
Спецификации:
Диапазон спектральной реакции | от 190 до 1100 нм |
Максимальная длина волны чувствительности (типичное значение) | 960 нм |
Фоточувствительность (типичное значение) | 0.5A /W |
Темный ток (макс.) | 100 pA |
Контактное лицо: Miss. Xu
Телефон: 86+13352990255